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小 发表于 2008-4-18 15:39
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直流弧焊逆变技术国内发展历程
本文关键字:逆变电源
我国自1962年试制成功晶闸管以来，以普通晶闸管和硅整流管为主体的变注技术、逆变电源技术有了很大的发展，器件质量有较大的提高，派生型晶闸管，职快速、双向、可关断和逆变导器件有较快的发展，产品产量大幅度上升。
近10多年来，经过精心设计，加上工艺、测试、可靠性以及装备等方面的研究，器件容量定额大大提高，静、动态特性午到改善。我国已自行设计和研制出1000A，1200V，30μs的快速晶闸管；100A，600V以上的功率开关晶体管；40，60A，1000V以上的快速二极管。此外，50，100A的大功率场效应晶体管、IGBT在90年代初也开始试制生产。同时，在变频调速、稳压电源、不间尖、电镀电源、电阻焊、弧焊电源、电子束电源、中高频加热及热处理、电化学等方面已广泛应用逆变电源技术和产品，并拥有数十个系列和数百个规格的这类产品。其中包括单机容量为250，350kVA的晶闸管变频器；单机容量为1000kVA以上的不间断电源装置；250kVA的IGBT式电阻焊逆变器；33kVA的IGBT式弧焊逆变器；15，30kVA的场效应晶体管式的弧焊逆变器等。
上世纪90年代，国内外电力半导体器件和逆变电源技术在不断向功率化、快速化、模块化、组合化、智能化、廉价和高可靠性方向发展，新型的大功率场效应管用作弧焊逆变器的快速开关，比普通的双极型大功率晶体管更为优越。
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[ 本帖最后由 gzykying 于 2008-4-18 15:40 编辑 ]
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