搜索: 高级
  注册会员 找回密码
设为首页
收藏本站
广告合作
加盟合作
联系我们
电源技术网
首  页 资 讯 供 应 求  购 展会信息 招 聘 求 职 资料共享 器件手册 技术文章 会员中心 电源沙龙
  当前位置:首页>资讯>产业纵横>文章内容

三大DRAM厂商疯狂扩产 致内存价崩溃

作者:power   来源:网络   点击:    日期:2007-05-06    
据业界消息称,由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、尔必达(ELPIDA MEMORY) 和海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.)等三家内存厂商提高了DRAM的产量,因此DRAM内存价格近期出现大幅下跌。

  据悉,这三家厂商纷纷调整调整产能,将之前生产其它类型产品的生产线全部转而生产DRAM内存。据预测,07年第二季度受上述三家厂商产能调节影响,全球DRAM内存产量将增长20-30%。

  美光科技由于预测07年受手机市场带动,CIS(CMOS图像传感器)需求会有大规模上升,因此调整很大部分产能用于生产CIS,但实际上市场需求并未达到预期。

  尔必达之前预测2007年消费电子市场将会出现迅猛增长,但由于几个月来消费电子类产品一直并没有大起色,因此也造成了尔必达为消费电子类产品制造的DRAM内存库存积压严重,故尔必达重新调整了产能,转而生产标准DRAM产品。

  由于在NAND闪存制造工艺上比三星和东芝落后,因此海力士半导体决定增大DRAM内存产量。在数月后NAND闪存制造工艺赶上竞争对手后,公司将重新调整产能生产NAND闪存。


 


上一篇:私募基金248亿美元收购美国第五大无线公司   下一篇:东进不满英特尔口误 称和解协议已无效
[收藏] [推荐] [评论(0条)] [返回顶部] [打印本页] [关闭窗口]  
用户名: 新注册) 密码: 匿名评论
评论内容:(不能超过250字,需审核后才会公布,请自觉遵守互联网相关政策法规。
 §最新评论
  热点文章
·THX201 THX202H THX203H
·红外光电探测器
·LED产业:美梦背后的危机
·中国多晶硅产业发展的“喜”与“
·非晶变压器前景广阔 合金带
·500亿元手机电池市场的幸福和隐
·东进不满英特尔口误 称和解协议
·天津瑞颐公司产品简介
·郑州市电动自行车发展状况调查及
·开关电源历史发展轨迹及走势分析
·当心,你的手机电池会爆炸!
·有没有人有珠海金电GEP-48010电
·电源IC
·纸电池的发展空间到底有多大?
·英特尔入股之后凌讯科技转型上路
·解密英特尔东进案:IT业知识产权
·史密斯热水器问题得到解决
·半导体枯木逢春 2008年展现新气
  相关文章
·私募基金248亿美元收购美国第五
·东进不满英特尔口误 称和解协议
·国产手机在进网检测中将执行统一
·Spansion抛出“DRAM竞争论” 窥
·高盛调低先进半导体盈利预测 维
·英特尔入股之后凌讯科技转型上路
·风河公司与Curtiss-Wright扩展战
·英特尔将淘汰130纳米安腾2处理器
·纳米胶水用于芯片开发设计 比头
·解密英特尔东进案:IT业知识产权
·首款加密中国芯研制成功 将在科
·台积电投资2亿美元扩充产能 45纳
·Jason Rhode获任Cirrus Logic总
·东方集成仪器租赁备战手机生产链
·赛灵思推出65nm FPGA一周年 VIRT
·RIGOL综合楼落成典礼在京隆重召
·日立国际电气工业相机采用赛灵思
·TI eXpressDSP xDM扩展编解码器

设为首页 | 加入收藏 | 广告合作 | 关于我们 | 联系我们 | 网站地图 | 友情链接 | 意见投诉 | 使用帮助
本站部分信息由企业自行提供,对于该信息内容的真实准确合法性,电源技术网对此不承担任何保证责任。
所有资料来自于网络,版权归作者所有,本站不保证正确性和完整性,只提供参考学习交流之用。
总机:0755-21330265 传真:0755-83718018 E-mail:
工作时间:周一至周五 8:00-18:00 在线服务QQ:372470395 437743603 184979008
Copyright @ 2003-2008 电源技术网 Inc All Rights Reserved.Powered By power-bbs.com
网络实名/通用网址/Google实名通:电源技术网 粤ICP备06099648号